IDT71T75602, IDT71T75802, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Burst Read Operation (1)
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
Address
A 0
X
X
X
X
A 1
X
X
A 2
R/ W
H
X
X
X
X
H
X
X
H
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
H
L
CE (2)
L
X
X
X
X
L
X
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
X
OE
X
X
L
L
L
L
L
L
L
I/O
X
X
Q 0
Q 0+1
Q 0+2
Q 0+3
Q 0
Q 1
Q 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Clock Setup Valid, Advance Counter
Address A 0 Read Out, Inc. Count
Address A 0+1 Read Out, Inc. Count
Address A 0+2 Read Out, Inc. Count
Address A 0+3 Read Out, Load A 1
Address A 0 Read Out, Inc. Count
Address A 1 Read Out, Inc. Count
Address A 1+1 Read Out, Load A 2
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
Write Operation (1)
5313 tbl 14
Cycle
n
n+1
n+2
Address
A 0
X
X
R/ W
L
X
X
ADV/ LD
L
X
X
CE (2)
L
X
X
CEN
L
L
L
BW x
L
X
X
OE
X
X
X
I/O
X
X
D 0
Comments
Address and Control meet setup
Clock Setup Valid
Write to Address A 0
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
Burst Write Operation (1)
5313 tbl 15
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
Address
A 0
X
X
X
X
A 1
X
X
A 2
R/ W
L
X
X
X
X
L
X
X
L
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
H
L
CE (2)
L
X
X
X
X
L
X
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I/O
X
X
D 0
D 0+1
D 0+2
D 0+3
D 0
D 1
D 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Clock Setup Valid, Inc. Count
Address A 0 Write, Inc. Count
Address A 0+1 Write, Inc. Count
Address A 0+2 Write, Inc. Count
Address A 0+3 Write, Load A 1
Address A 0 Write, Inc. Count
Address A 1 Write, Inc. Count
Address A 1+1 Write, Load A 2
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; ? = Don’t Know; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
10
6.42
5313 tbl 16
相关PDF资料
IDT71T75902S85BGG IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA
IDT71V016SA12PHGI IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP
IDT71V124SA10PHGI IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP
IDT71V256SA20PZG IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP
IDT71V25761S200PFGI IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP
IDT71V30L35TFI IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP
IDT71V321L25TFI IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP
IDT71V3556SA166BGGI IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA
相关代理商/技术参数
IDT71T75802S200PFGI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT71T75802S200PFI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75802S200PFI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S75BG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT71T75902S75BG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT71T75902S75BGG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT71T75902S75BGG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT71T75902S75BGGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI